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BiCMOSに関するWebサイト
BiCMOSファンドリー
Hitachi BiCMOSファンドリーメニュー. No. デバイスプロセス. Bip. ... 0.18um SiGe BiCMOS (fT140GHz版) ... 相乗り試作サービス対象は、0.25um SiGe BiCMOSプロセスです。 ...
BiCMOS Foundry
Hitachi BiCMOS Foundry Menu. No. Model. Bip. ... 0.25um SiGe BiCMOS (fT=140GHz) NPN. 140. 2.0 ... 0.18um SiGe BiCMOS (fT ...
アナログ/ディジタル混在ASIC ミックスト・シグナルASIC MA8A, MA-9ファミリ PF
BiCMOSプロセス. 集積度. 7. パンフレット A13326JJ2V0PF ... 最新のBiCMOSプロセスの採用にて,0.65μm CMOSゲートアレイとアナログASIC(アナログマスタ) ... BiCMOSプロセスならではのバイポーラ ...
BiCMOS パワー・ファクタ プリレギュレータ
BiCMOS パワー・ファクタ プリレギュレータ. 特 長. 高精度力率改善コントロールIC ... ローパワーのBiCMOSプロセスにより低消費動作. 12V17V動作. SLUS620 ...
BiCMOS ローパワー電流モードPWMコントローラ
リー、UC384xファミリーとピン互換で機能強化されたBiCMOS. 版です。 ... ラ型デバイスやその他競合するBiCMOSデバイスと比較しても. 性能が改善されています。 ... BiCMOS設計により、以前のバイポーラ型デバイスでは実現 ...
@IT:Insider's Computer Dictionary [BiCMOS]
Dictionary > [BiCMOS] BiCMOS ... CMOS回路で入力やロジック部分を構成し、出力段にバイポーラ回路を使用することにより、全体的な消費電力を抑えながらも、高速で高い駆動能力を実現すること ができる。 ...
ITmedia エンタープライズ:IBM、第4世代のSiGe BiCMOS技術を発表
IBM、第4世代のSiGe BiCMOS技術を発表 ... IBMによれば、130ナノメートルSiGe BiCMOS技術の8HPは、現在の180ナノメートルSiGeに比べて高性能、低消費電力、高度なレベルのインテグレーションを実現。 ...
BiCMOS 【Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor】 | 半導体用語辞典
【BiCMOS 【Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor】 | 半導体用語辞典とは】簡単なパソコン用語から難易度の高い専門用語までカバーしたオンラインIT用語辞典です。 ...
米IBM,130nm版SiGe BiCMOS製造技術を確立,180nm版に比べ処理速度は2倍:ITpro
米IBMが,シリコン・ゲルマニウム(SiGe)バイポーラCMOS(BiCMOS)の新製造技術「8HP」と,その低コスト版「8WL」を米国時間8月5日に 発表した。 ... 米IBM,130nm版SiGe BiCMOS製造技術を確立, ...
高周波帯域3GHz帯に対応したBiCMOSプロセス技術「U-ESBiC4」を開発
かつ低消費電力を実現するBiCMOSプロセス技術「U-ESBiC4」 ... 当社は、1988年に、世界で初めて、無線周波数帯デバイス向けBiCMOS技術によるPLLシンセサイザLSIを商品化して以来、常に先端商品を提供してまい りました。 ...
@nifty:デジタル用語辞典:BiCMOS
[ BiCMOS ] ばいしーもす. Bipolar-CMOS ... 大電流を駆動したり高速に動作させたりする部分にバイポーラトランジスタ ... PCの世界では、PentiumがBiCMOSプロセスを使用していることで知られる。 関連用語 ...
米IBM、0.25μmルールのSiGe BiCMOSチップの量産を開始(2000/7/12)
Corp.は、SiGe技術を採用した0.25μmルールのBiCMOSチップの量産を始めたと発表した(ニュースリリース、日本語のニュースリリース) ... すでにIBM社は0.18μmルールのSiGe BiCMOSプロセスの開発にも着手している。 ...
米IBM,130nm版SiGe BiCMOS製造技術を確立,180nm版に比べ処理速度は2倍:IT Pro
米IBMが,シリコン・ゲルマニウム(SiGe)バイポーラCMOS(BiCMOS)の新製造技術「8HP」と,その低コスト版「8WL」を米国時間8月5日に 発表した。 ... 米IBM,130nm版SiGe BiCMOS製造技術を確立,180nm版に比べ処理速度は2倍 ...
@nifty:デジタル用語辞典:BiCMOSプロセス
や行. ら行. わ行 [ BiCMOSプロセス ] powered byASCII. デジタル用語辞典の使い方 [ BiCMOSプロセス ] ばいしーもす・ぷろせす (関連用語を参照してください) 関連用語. ・BiCMOS ...
ＢｉＣＭＯＳ技術: 紀伊國屋書店BookWeb
紀伊國屋書店 ＢｉＣＭＯＳ技術 by 久保征治 電子情報通信学会 本体価:\2,515 ... 第１章 ＢｉＣＭＯＳ技術の背景と歴史. 第２章 ＢｉＣＭＯＳの基本回路とその特性. 第３章 ＢｉＣＭＯＳの素子構造とプロセス技術 ...
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BiCMOSのRSS検索結果
米IBM,130nm版SiGe BiCMOS製造技術を確立,180nm版に比べ処理速度は2倍:ITpro
米IBMが,シリコン・ゲルマニウム(SiGe)バイポーラCMOS(BiCMOS)の新製造技術「8HP」と,その低コスト版「8WL」を米国時間8月5日に 発表した。 ... 米IBM,130nm版SiGe BiCMOS製造技術を確立, ...
米IBMが130nm版SiGe BiCMOS製造技術、処理速度は180nm版の2倍 - ニュース - nikkei BPnet
米IBMが130nm版SiGe BiCMOS製造技術、処理速度は180nm版の2倍 ... 米IBMが,シリコン・ゲルマニウム(SiGe)バイポーラCMOS(BiCMOS)の新製造技術「8HP」と,その低コスト版「8WL」を米国時間8月5日に 発表した。 ...
用語検索:用語解説 - ZDNet Japan
エンタープライズコンピューティングのリソースセンター ... BiCMOS. Powerd by.IT用語辞典 e-Words ... BiCMOS. Powerd by.Wikipedia. 関連するホワイトペーパー. 冗長化やメッシュ ...
米モビリアン,Wi-Fi/Bluetooth対応のチップ・セット「TrueRadio」を発表:ITpro
米Mobilianが米国時間11月4日に,Wi-Fi(IEEE 802.11b)とBluetoothに対応したチップセット「TrueRadio」を発表した。BiCMOSアナログ・チップ「MN22100」とCMOSデ ジタル・チップ「MN12100」から成る。
米IBM、SOIウエハ上でCMOSとSiGeバイポーラの混載を実現 (MYCOMジャーナル)
IBMは、フランスのトルースで開催される2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology ... 2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting ...
【ISSCCレポート】Bluetoothは、より小さく、そして効率的に (MYCOMジャーナル)
これまでBluetoothチップには0.35μm BiCMOSや0.25μm CMOS技術が使われてきたきたが、0.18μm ... 製造技術は0.35μmのBiCMOS SOIで、チップサイズは19.5平方ミリ。 ...
日立製作所、動作クロック周波数80GHzの論理回路を作成
HBTを高速化するために微細化を進めると、動作速度を遅くする寄生抵抗が増加し、素子特性のばらつきも増大するほか、SiGe BiCMOS形成時のSiGe形成プロセスの高熱処理によりCMOSの特性が劣化するといった問題があった。 ...
eetimes.jp インフィニオン社、200mWと低消費の 地上デジ用チューナICを発売(2005/12/02)
電源電圧は3.0~5.5V。 製造技術はバイポーラCMOS(BiCMOS)である。 パッケージは48端子のVQFNを採用。 実装面積は49mm2と小さい。 このほか、前述のチューナLSIに3個のD-A変換器を加えた「TUA6041」も発売した。 ...
用語検索:索引 - ZDNet Japan
BiCMOS. Big Drive. BIGLOBE. BIND. BinHex. BioAPI. BIOS. BIOSアップグレード. BIOSアップデート. BIOSセットアップ. biportable. BISYNC. bitblt. BitCash. BitTorrent ...
IBM、第4世代のシリコン・ゲルマニウム・チップ製造技術を発表 : ハードウェア - ...
8HPは、線幅130ナノメートル(nm)のプロセス技術を使用し、シリコン・ゲルマニウム(SiGe)を材料とする、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体(Bi CMOS)の鋳造技術。 この技術によるチップは、180nmプロセスが使用 ...
「Wireless USBは2006年初頭に製品版」、各社が続々LSIを発表 - ニュース - nikkei BPnet
AL4100は、350nmルールのSiGe BiCMOS技術を利用して製造。 AL4200は、130nmルールのCMOS技術で、台湾TSMC社に製造を委託した。 さらに詳しい情報は「Tech-On!のWebサイト」でご覧いただけます。 ...
米IBM、消費電力が従来比20%の新チップ設計を発表 - CNET Japan
IBMは、フランスのトゥールーズで開催される「2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting」で、この新設計の詳細を発表する。 この記事は海外CNET Networks ...
LSI情報局 -- Tech-On!
2006 IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting. 10/08 ~ 10/11. 2006 International Conference on Image Processing ...
Silicon Online -- Tech-On!
2006 IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting. 10/08 ~ 10/12. 39th International Symposium on Microelectronics ...
標準ロジック-キーワード/標準ロジック-能力開発レポート
[ 商社代理店紹介] · ５V標準ロジック SN74ABT:アドバンスBiCMOSバス、 ... 標準ロジック(TTL、ECL、CMOSロジック、BiCMOSロジック、Low Voltage)製品を紹介 しています。 ...
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